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普冉半導體

資深存儲器設計工程師

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  • 18萬-36萬/年
  • 上海
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  • 工作經驗不限
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  • 本科
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  • 全職

職位誘惑: 五險一金,福利好,年底雙薪,成長空間大,交通補助,技能培訓

發布時間: 2020-11-04發布

職位描述

崗位要求:

  1. 從事EEPROM/Flash Memory電路設計,包括架構設計、模擬及高壓模塊設計、控制邏輯設計等
  2. 負責EEPROM/Flash Memory測試評價,跟蹤產品的應用及客戶技術服務支持工作
崗位職責:
  1. 大學本科及以上學歷,電子工程、微電子或相關專業
  2. 具有良好的模擬或數字電路基礎
  3. 熟練使用各種相關EDA工具
  4. 具有獨立分析解決問題的能力
  5. 良好的團隊合作精神
  6. 有EEPROM/Flash Memory相關設計或測試經驗者優先

職位發布者

普冉半導體(上海)有限公司

HR

7天

簡歷處理用時

98%

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